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1N5257B-TAP
- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管，封装:DO-204AH（DO-35）
- 技术参数：DIODE ZENER 33V 500MW DO204AH
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1N5257B-TAP技术参数详情：
- 型号:1N5257B-TAP
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封装:DO-204AH（DO-35）
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO204AH
- 系列:-
- 包装:剪切带（CT）
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):33 V
- 容差:±5%
- 功率 - 最大值:500 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt):58 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 25 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
- 工作温度:-65°C ~ 175°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
- 供应商器件封装:DO-204AH（DO-35）
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