MXP120A045FE-T1GE3技术参数详情：
- 型号:MXP120A045FE-T1GE3
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SIC MOSFET
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 20A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.38V @ 5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75.6 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1958 pF @ 800 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:212W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 供应商器件封装:-
- 封装/外壳:-
- 现在可以订购MXP120A045FE-T1GE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
