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SI3805DV-T1-E3
- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：6-TSOP
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
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SI3805DV-T1-E3技术参数详情：
- 制造商产品型号：SI3805DV-T1-E3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：LITTLE FOOT
- 零件状态：停产
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.3A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：84 毫欧 @ 3A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：330pF @ 10V
- FET功能：肖特基二极管（隔离式）
- 功率耗散（最大值）：1.1W（Ta），1.4W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：6-TSOP
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