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SI4511DY-T1-GE3
- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
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SI4511DY-T1-GE3技术参数详情：
- 制造商产品型号：SI4511DY-T1-GE3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：*
- 零件状态：停产
- FET类型：N 和 P 沟道
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.2A，4.6A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14.5 毫欧 @ 9.6A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：1.1W
- 工作温度：-
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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