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SI4808DY-T1-E3
- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
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SI4808DY-T1-E3技术参数详情：
- 制造商产品型号：SI4808DY-T1-E3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：LITTLE FOOT
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.7A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250A（最小）
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：1.1W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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