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SI7844DP-T1-E3
- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：PowerPAK SO-8 双
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
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SI7844DP-T1-E3技术参数详情：
- 制造商产品型号：SI7844DP-T1-E3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：*
- 零件状态：停产
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.4A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 10A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：1.4W
- 工作温度：-
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：PowerPAK SO-8 双
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