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SI7886ADP-T1-GE3
- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:PowerPAK SO-8
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
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SI7886ADP-T1-GE3技术参数详情：
- 型号:SI7886ADP-T1-GE3
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封装:PowerPAK SO-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6450 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerPAK SO-8
- 封装/外壳:PowerPAK SO-8
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