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SIHP054N65E-GE3
- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-220AB
- 技术参数：E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
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SIHP054N65E-GE3技术参数详情：
- 型号:SIHP054N65E-GE3
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封装:TO-220AB
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):47A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:58 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:108 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3769 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220AB
- 封装/外壳:TO-220-3
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