SIRS5102DPW-T1-RE3技术参数详情：
- 型号:SIRS5102DPW-T1-RE3
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封装:PowerPAK SO-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Ta），152A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3360 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:6.9W（Ta），171W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerPAK SO-8
- 封装/外壳:PowerPAK SO-8
- 现在可以订购SIRS5102DPW-T1-RE3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
