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SIZF906ADT-T1-GE3
- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-PowerPair（6x5）
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
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SIZF906ADT-T1-GE3技术参数详情：
- 型号:SIZF906ADT-T1-GE3
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封装:8-PowerPair（6x5）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 个 N 通道（双），肖特基
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49nC @ 10V，200nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000pF @ 15V，8200pF @ 15V
- 功率 - 最大值:4.5W（Ta），38W（Tc），5W（Ta），83W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerWDFN
- 供应商器件封装:8-PowerPair（6x5）
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