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SQ4920EY-T1-GE3
- 制造厂商:Vishay(威世)
- 类别封装:场效应管阵列,8-SO
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
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SQ4920EY-T1-GE3技术参数详情:
- Vishay威世半导体原厂型号:SQ4920EY-T1-GE3
- 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
- 系列:TrenchFET
- FET 类型:2 个 N 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 6A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1465pF @ 15V
- 功率 - 最大值:4.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
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