SQD100N04_3M6T4GE3技术参数详情：
- 型号:SQD100N04_3M6T4GE3
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封装:TO-252AA
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6700 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252AA
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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