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SQM120N04-1M9-GE3
- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：单端场效应管，TO-263
- 技术参数：MOSFET N-CH 40V 120A TO263
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SQM120N04-1M9-GE3技术参数详情：
- Vishay威世半导体原厂型号：SQM120N04-1M9-GE3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO263
- 系列：TrenchFET
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.9 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：270nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8790pF @ 25V
- 功率 - 最大值：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：TO-263
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