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VS-GT100TP120N
制造厂商：Vishay（威世）
类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：INT-A-PAK（3 + 4）
技术参数：IGBT MOD 1200V 180A INT-A-PAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：VS-GT100TP120N制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）描述：IGBT MOD 1200V 180A INT-A-PAK系列：晶体管 - IGBT - 模块零件状态：停产IGBT类型：沟道配置：半桥电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：180A功率-最大值：652W不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.35V @ 15V，100A电流-集电极截止（最大值）：5mA不同Vce时输入电容(Cies)：12.8nF @ 30V输入：标准NTC热敏电阻：无工作温度：175°C（TJ）安装类型：底座安装封装：INT-A-PAK（3 + 4）现在可以订购VS-GT100TP120N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
